NTT (Nippon Telegraph and Telephone) сообщает о разработке первого полупроводникового чипа на алмазной подложке, который, как утверждается, способен работать на частоте до 81 ГГц. Чип будет использован в усилителях СВЧ в диапазонах от 30 до 300 ГГц.

Мы уже как-то упоминали о том, что многие ученые присматриваются к перспективам использования алмаза в качестве основы для изготовления полупроводниковых устройств, но тогда материал прозвучал скорее как шутка. Основными достоинствами алмаза являются высокая температурная проводимость, высокое напряжения пробоя и хорошая подвижность носителей заряда. Однако сильная зависимость свойств алмаза от концентрации примесей затрудняла развитие технологий его применения.

В лаборатории фундаментальных исследований NTT Basic Research Laboratory утверждают, что создали тонкую пленку из очень чистого алмаза выращиванием при температуре 650-670 градусов Цельсия. Благодаря малой концентрации примесей подвижность носителей составила 1300 кв. см. / В с. Свою работу исследователи NTT провели совместно с Ульмским университетом Германии, успешно разработавшим технологию создания FET-устройств на тонкой алмазной пленке.

Прототип первого алмазного чипа имеет площадь 3 кв. мм, а толщина затвора – 0,2 мкм. Прототип устойчиво работает на частотах до 81 ГГц. NTT считает, что выходная мощность устройства составит порядка 30 Вт/мм. Своей следующей целью компания ставит разработку чипа, способного работать на частоте до 200 ГГц.