Samsung объявила о выпуске чипа памяти DDR 32 Mб для мобильных телефонов. Пропускная способность его составит 1.06 Гбит/c, чип изготовлен по технологии 0.10 микрон. Благодаря такой тонкой технологии, чип имеет минимальное энергопотребление.

Массовое производство чипов начнется во втором полугодии 2004, он будет использоваться, в основном, с чипами ATI и NVIDIA, что позволит создавать производительные мобильные телефоны.

Новую память можно будет использовать также в PDA и цифровых плеерах.